logo
  • userLoginStatus

Welcome

Our website is made possible by displaying online advertisements to our visitors.
Please disable your ad blocker to continue.

Current View

Mathematical Engineering - Elettronica

Full exam

I Appello Estivo – AA 2019/2020 Elettronica - Ing. Matematica Milano, 15/06/2020 Indicare chiaramente la domanda a cui si sta rispondendo. Dove possibile, scrivere prima in formule e poi sostituire i valori numerici. Giustificare sempre le risposte ed eventuali approssimazioni. Per avere miglior leggibilità del testo scansionato, scrivere in nero. Per facilitare il docente, scrivere con chiarezza ed ordine. εSiO2 = 1/3ε Si, εSi = 1 pF/cm, q = 1.6×10 -19 C, n i = 9.65×10 9 cm -3, V T = 26 mV . Es. 1 Fig. 1a 1.1 Con riferimento al circuito di figura 1a, disegnare su un diagramma quotato in fu nzione del tempo l’andamento di Vin, indicando lo stato di conduzione del diodo. Il condensatore è inizialmente scarico. Iin è uno scalino di 1mA. Es. 2 Fig. 2a Con riferimento al circuito di Fig. 2a, 2.1 Sia Vin una costante pari a 1V. Considerando il trasferimento ideale, calcolare la corrente che fluisce in R3. 2.2 Sia Vin una costante pari a 1V. Considerando il trasferimento reale, calcolare la caduta di tensione su R2. Es. 3 Fig . 3a Si consideri il circuito di fig. 3a, e si assumano tutti i transistori saturi (1/gm = 1 kΩ): 3.1 v in è una sinusoide di ampiezza 100 mV e frequenza incognita f in. Determinare f in affinché v out sia una sinusoide di ampiezza 5 V.